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[络筒、电清] 管纱轴向退绕时纱线张力变化规律

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发表于 2015-7-5 11:29:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.退绕一个层级时纱线张力变化规律 
1 A8 \& k5 h0 _7 g0 H& |0 v2 G' d高速记录的纱线短片段退解过程中张力变化情况如图所示。图中张力的极大值点1对应着分离点位于层级顶部位置,极小值点2对应层
6 P$ E( y* V0 w& }( T级底部位置。因为层级顶部的卷绕直径小于层级底部,在匀速络筒条件下,分离点位于层级顶部时气圈的回转角速度较大,而分离点位于层级底部时较小。回转角速度的变化影响到气圈各微元纱段上回转运动法向惯性力和哥氏惯性力数值,引起一个层级内管纱退绕张力波动。但是,回转运动法向惯性力和哥氏惯性力数值很小,层级顶部和层级底部直径差异也不大,并且一个层级卷绕的纱线长度很短,所以张力波动幅度小且周期短。由于纱线材料良好的张力松弛特性,这种形式的张力波动很容易在筒子上被消除,从而不会对后工序产生不良影响。( }6 ]: E# H$ J. C# `# d: h' i+ ^
连续几个层级退绕时张力变化规律.png
连续几个层级退绕时张力变化规律
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 楼主| 发表于 2015-7-5 11:32:05 | 显示全部楼层

0 M2 Z, v  x' I$ }, e% p" q# o2.整只管纱退绕时纱线张力的变化规律 
3 ]& r6 G: {$ d; U+ z2 `; h$ ^6 S+ I" p下图所示为整只管纱退绕时纱线张力变化图线(试验条件为络筒速度450m/min,导纱距离150mm,纱线特数29tex)。满管时张力极小(图中A点),出现不稳定的三节气圈。随着退绕的进行,气圈形状被拉长,气圈抛离纱管的程度减弱,纱管裸露部分增加,退绕点到分离点的距离不断增加,摩擦纱段长度增长,管纱退绕张力也逐渐增加。同时,最末一节气圈的颈部向纱管管顶靠近。当退绕到一定时候(图中B点),该节气圈颈部与管顶相碰,气圈形状瞬间突变,气圈个数减少,出现稳定的两节气圈,摩擦纱段长度瞬时增长,分离点张力T1乃至管纱退绕张力T2突然增长。当继续退绕到图中C点时,气圈形状又一次突变,出现稳定的单节气圈,其摩擦纱段长度和管纱退绕张力T2又突发较大幅度的增长。在C点与D点之间,虽然气圈始终维持单节状态,但气圈高度不断变大,气圈形状瘦长,摩擦纱段迅速增加,管纱退绕张力T2急剧上升。以上分析表明:气圈形状影响摩擦纱段长度,摩擦纱段长度是影响分离点张力T1 和管纱退绕张力T2 的决定性因素,控制气圈形状可以减少T1和T2的变化,使络筒张力均匀。
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整只管纱退绕时纱线张力变化.png
整只管纱退绕时纱线张力变化
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 楼主| 发表于 2015-7-5 11:38:22 | 显示全部楼层
- Y4 W6 d! N, h) C  D: G
3.导纱距离对纱线退绕张力的影响 # ?0 E% w7 q7 e6 w" I+ c7 D  H9 G
导纱距离即纱管顶端到导纱部件的距离,不妨碍络筒工人操作的最小导纱距离d为50mm。在d为50mm条件下进行络筒时,从
! ^, j% T3 J# n! A3 A( j满管到空管的整个退绕过程中只出现单节气圈,纱线张力波动较小,如图(a)所示,试验条件为络筒速度450m/min,纱线特数29tex。) [9 }! a5 Z5 Q* K2 D; g, Y
随着导纱距离的增加,平均退绕张力及张力波动幅度均有所增加,构成了不利的络筒工艺条件。当导纱距离为200mm时,满管退绕出现五节气圈,到管底时出现单节气圈,张力变化幅度达到4倍以上,如图(b)所示。1 ~9 T, X3 C2 i! T
当导纱距离大于250mm时,满管退绕时气圈节数达六节以上,而退绕到管底时,气圈节数仍保持在两节以上,始终不出现单节气圈。图(c)为d等于500mm时的纱线张力变化图线。
4 D2 v& s  A5 d1 {由此可见,在导纱距离等于50mm和大于250mm时,络筒张力都能保持较小的波动。
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 络筒张力变化.png
 络筒张力变化
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 楼主| 发表于 2015-7-5 11:39:18 | 显示全部楼层
( L7 g. ?$ z, @* S, s
4.络筒速度对纱线退绕张力的影响 . R8 B1 B$ |6 i8 [* |0 J
实际测定的结果表明,当络筒速度增加时,气圈回转角速度ω也相应增加,由于空气阻力的影响,气圈形状变化,使摩擦纱段增长,从而分离点张力和纱线退绕张力增加。有文献介绍,络筒纱线退绕张力与络筒速度成正比。
+ y2 W$ L4 `+ f5 C7 T5.纱线特数与纱线退绕张力的关系 6 ~. p/ [1 L2 e9 Q& Z9 @; h& Z
通过对气圈中微元纱段所受诸力的分析可知,纱线特数即纱线线密度影响了纱线回转运动的法向惯性力和哥氏惯性力,纱线特数增大,使纱线退绕张力增长。
. \/ p! a  a* Q$ T' O2 V7 u
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